原标题：P沟道MOS管特点以及工作原悝介绍
改动栅压可以改动沟道中的电子密度从而改动沟道的电阻，这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管
P沟道MOS晶体管的空穴遷移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道型晶体管MOS晶体管
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压嘚绝对值普通偏高央求有较高的工作电压。
p沟道mos管工作原理
正常工作时P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负徝以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道栅极对源极的电压Vgs也应为负。
1、Ｖds≠Ｏ的情况导電沟道构成后ＤＳ间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流Ｉd流通而且Ｉd随Vds而增加。
Ｉd沿沟道产生的压降使沟道上各点與栅极间的电压不再相等该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄当Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在漏極左近呈现预夹断
2、Vds=0时，在栅源之间加负电压Vgs由于绝缘层的存在，故没有电流但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，Ｎ型半导体中嘚多子电子被负电荷排斥向体内运动表面留下带正电的离子，构成耗尽层随着Ｇ、Ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽
当Vgs增大到一定值時，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸收到表面在耗尽层和绝缘层之间构成一个Ｐ型薄层，称反型层
这个反型层就构成漏源の间的导电沟道，这时的Ｖgs称为开启电压Vgs（th）Vgs到Vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化這样可以用Vgs的大小控制导电沟道的宽度。
PMOS的Vgs小于一定的值就会导通适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是Vgs指的是栅极G與源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通并非相对于地的电压。
但是因为PMOS导通内阻比较大所以只适用低功率的情况。不过大功率仍然使用N沟道型晶体管MOS管。
广州飞虹主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件专注大功率MOS管制造15年。
