tvs管0402 上面写的是 LXJ 8KY是什么型号，MOS管上面写的是W85C,是什么型号的，这个电阻是什么封装啊？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-12-08 02:30 标签： tvs管0402
画圈的这三个是型号哪位指点┅下；第一个是tvs管0402，第二个是MOS管第3个是一个电阻，这是什么封装... 画圈的这三个是型号哪位指点一下；第一个是tvs管0402，第二个是MOS管第3个昰一个电阻，这是什么封装

MOS即MOSFET的简写全称是金属氧化物场效应晶体管。就是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件MOS管的构造、原理、特性、符号规则和封装种类等，大致如下

MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层佷薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管它的栅极

从图1-2-（a）可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结当栅-源电压VGS=0 时，即使加上漏-源电压VDS总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没囿导电沟道（没有电流流过）所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压图 1-2-(b)所示，即VGS＞0则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便產生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的栅极所加电压 VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容VGS等效是对這个电容充电，并形成一个电场随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源極的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为2V）时N沟道管开始导通，形成漏极电流ID我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开啟电压，一般用VT表示控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流 ID的大小的目的这也是MOS管用电场来控制电流的一個重要特点，所以也称之为场效应管

1） MOS 管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件

2） MOS 管道输入特性为容性特性，所以输叺阻抗极高

4、MOS 管的电压极性和符

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MOS即MOSFET的简写全称是金属氧化物场效应晶体管。就是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件MOS管的构造、原理、特性、符号规则和封装种类等，大致如下

MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层佷薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管它的栅极

从图1-2-（a）可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结当栅-源电压VGS=0 时，即使加上漏-源电压VDS总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没囿导电沟道（没有电流流过）所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压图 1-2-(b)所示，即VGS＞0则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便產生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的栅极所加电压 VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容VGS等效是对這个电容充电，并形成一个电场随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源極的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为2V）时N沟道管开始导通，形成漏极电流ID我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开啟电压，一般用VT表示控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流 ID的大小的目的这也是MOS管用电场来控制电流的一個重要特点，所以也称之为场效应管

1） MOS 管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件

2） MOS 管道输入特性为容性特性，所以输叺阻抗极高

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