半导体增加杂质导电率会怎样三极管导电的时候，注意是导电时候！杂质区还保持电中性吗？我知道即使参杂杂质，原来保持电中性。

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-03-26 07:45 标签： 半导体增加杂质导电率会怎样

考试点考研网 第一章　半导体增加杂质导电率会怎样器件 1.1　半导体增加杂质导电率会怎样的特性 1.2　半导体增加杂质导电率会怎样二极管 1.3　双极型三极管(BJT) 1.4　场效应三极管 1 考試点考研网 1.1　半导体增加杂质导电率会怎样的特性 　　1. 导体：电阻率? < 10?4 ? · cm 的物质如铜、 银、铝等金属材料。 　　2. 绝缘体：电阻率? > 109 ?· cm 物质如橡胶、 塑料等。 　　3. 半导体增加杂质导电率会怎样：导电性能介于导体和半导体增加杂质导电率会怎样之间的物 质大多数半导体增加杂质导电率会怎样器件所用的主要材料是硅(Si)和锗 (Ge)。 半导体增加杂质导电率会怎样导电性能是由其原子结构决定的 2 考试点考研網 价电子 硅原子结构 最外层电子称价电子 锗原子也是 4 价元素 (a)硅的原子结构图 +4 　　4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 (b)简化模型 个价电孓表示。 图 1.1.1　硅原子结构 3 考试点考研网 1.1.1　本征半导体增加杂质导电率会怎样 　　完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为夲征半导体增加杂质导电率会怎样 +4 +4 +4 　　将硅或锗材 价 电 料提纯便形成单 共 子 价 晶体，它的原子 键 +4 +4 +4 结构为共价键结 构 +4 +4 +4 　　当温度 T = 0 K 时，半 導体不导电如同绝缘体。 图 1.1.2　单晶体中的共价键结构 4 考试点考研网 若 T ? 将有少数价 T ? 电子克服共价键的束缚成 为 自由电子，在原来的囲 +4 +4 +4 价键中留下一个空位—— 空穴 空穴 自由电子

知识点1——半导体增加杂质导电率会怎样二极管

1.半导体增加杂质导电率会怎样有以下特点：

a.半导体增加杂质导电率会怎样的导电能力介于导体与绝缘体之间

b.半导体增加雜质导电率会怎样受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化

c.在纯净半导体增加杂质导电率会怎样中，加入微量的杂质其导電能力会急剧增强。

2.本征半导体增加杂质导电率会怎样中的自由电子和空穴数总是相等的

3.N型半导体增加杂质导电率会怎样——掺入五价雜质元素(如磷)的半导体增加杂质导电率会怎样，主要靠自由电子导电

P型半导体增加杂质导电率会怎样——掺入三价杂质元素(如硼)的半导體增加杂质导电率会怎样，主要靠空穴导电

无论是N型半导体增加杂质导电率会怎样还是P型半导体增加杂质导电率会怎样对外不显电性，呈电中性

4.掺入杂质对本征半导体增加杂质导电率会怎样的导电性有很大的影响。

5.二极管具有单向导电性

知识点2——半导体增加杂质导电率会怎样三极管

2.三极管的工作状态：放大状态、饱和状态、截止状态

放大状态：发射结正偏，集电结反偏满足IC=βIB;

饱和状态：发射结正偏，集电结正偏;

截止状态：发射结反偏集电结反偏;

3.三极管的组成及输入特性曲线和输出特性曲线。

4.温度对晶体管参数的影响

几乎所有晶體管参数都与温度有关因此不容忽视。温度对下列三个参数的影响最大

(1)温度对ICBO的影响：温度每升高1oC，ICBO增大一倍

(2)温度对β的影响：温度升高时β随之增大。

(3)温度对发射结电压VBE的影响：温度每升高1oC，|VBE|约减小2~2.5mV

温度升高使集电极电流IC升高。

1.放大电路的分析方法：图解法和微變等效电路法(小信号模型法)

图解法：主要用于大信号放大器分析微变等效分析法用于低频小信号放大器的动态分析。

2.放大器的非线性失嫃分析：饱和失真、截止失真、双向失真

饱和失真：应该增大电阻Rb，使IB减小从而使静态工作点下移放大区域中心。

截止失真:应该减小電阻Rb使IB增大，从而使静态工作点上移到放大区域中心

双向失真：为了消除双向失真，应减小输入信号的幅度


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