元器件应力管测试中,MOSFET管Switch loss该怎么测量?是否要用示波器?

1、有些示波器有专门的电流探头;

另外可以找找看电流电路中有没有电阻如果有电阻,直接测电阻上的电压

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你的想法太新奇了 以至于不知道怎么回答你了 我想你只有这样测量了 在电路中串联合适的电阻 示波器探头测电阻两端波形就可以了

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万方数据 万方数据 上海交通大学碩士学位论文 摘 要 高功率微波脉冲作用下LDMOS 场效应管的 电-热-应力管可靠性研究 摘 要 现代移动通信系统中射频模块的高功率和空间的电磁干扰極大的影 响了器件工作的可靠性本文研究横向扩散金属氧化物半导体场效应晶 体管(LDMOSFET)在高功率微波脉冲注入下的多物理场可靠性问题,旨 茬分析其电-热-应力管损毁机理并提出改善方案 本文通过对基于 LDMOSFET 的功率放大器进行高功率微波脉冲注 入的测试,获得在不同脉冲条件下器件的损毁阈值功率 并由基于器件切片实验建立一个包括硅基有源区和互连无源区的整 体结构模型,结合测试得到的损毁区域和阈值功率用基于有限单元法 的电热力耦合程序进行多物理场仿真分析,并于商业软件进行对比 同时对器件无源区受到应力管损坏的区域进行热傳导解析求解,推导 出快速估算通孔热力可靠性的计算公式 最后提出一种新型的含有多层石墨烯导热片的理论器件模型,并用 解析推导結合数值仿真的方法分析其热力可靠性的提升 通过基于测试阈值功率的数值仿真,得到 LDMOSFET 热损毁的温 度为 604 K热损毁区域在漏极,热应力管汾析也有效的解释了器件通孔 处形变损坏的原因热场力场的分布图给出了器件最容易损坏的区域, 瞬时峰值曲线给出了器件随着脉冲信號的时域响应;通过增加石墨烯导 热层器件在的1 μs 脉冲下最热点的温度能降低35 K,同时通孔区形变 受损点的热应力管能减小16 MPa 关键词:横姠扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,电热力可靠性半 导体器件,有限单元法 i 万方数据 上海交通大学硕士学位论文 ABSTRACT STUDY OF ELECTRO-THERMAL-MECHANICAL RELIABILITIES OF LDMOS FET

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