数字闪光灯以及控制数字闪光灯闪光的方法
专利名称数字闪光灯以及控制数字闪光灯闪光的方法
技术领域本发明属于智能监控领域，涉及一种智能交通中的拍照装置，更具体的说，涉及一种数字闪光灯。
背景技术目前多数使用氙气型式的闪光灯(Xenon Photoflash)是由储存足够能量的主电容、触发电容和触发线圈组成的。触发时，触发电容放电在触发线圈次级形成高压，将灯管内的惰性气体击穿，主电容然后将其能量释放至灯管，此能量会在灯管内激发氙气而产生光源。由于触发闪光灯所需的能量是由主电容储存所提供的，主电容的电压必须达到一定值时，闪光灯才能触发，当主电容的蓄电量不足时，相应的电压不足，就无法触发闪光灯，所以充电速度慢、充电时间与触发时间亦不稳定。因此，传统闪光灯由于充电速度慢，触发闪光的时间不能精确可控，不能很好的应用于治安卡口、电子警察、超速抓拍等智能交通场合。同时，闪光能量输出不均勻，更造成寿命短、抗干扰能力差等缺点。
为了解决现有技术中闪光灯充电速度慢、充电时间长与触发时间不稳定的问题， 本发明提供了一种数字闪光灯，包括充电装置、触发装置、氙气闪光管与微处理器，其中，所述微处理器控制所述充电装置对所述氙气闪光管进行充电，控制所述触发装置对所述氙气闪光管进行触发；所述充电装置连接所述触发装置对其进行充电以达到预定电压；所述充电装置包括倍压整流电路、主电容组件和电容保护电路，所述倍压整流电路将交流电压转换为直流的第一电压，通过所述电容保护电路对所述主电容组件进行充电，使所述主电容组件电压为第二电压；所述触发装置包括触发电容，触发电容两端的电压为第三电压； 所述第一电压大于第二电压、第二电压大于第三电压。优选地，所述主电容组件由多个独立电容并联而成。优选地，所述微处理器在触发时间输出相应的负脉冲，控制所述触发电容放电以击穿所述氙气闪光管内的氙气，同时，所述主电容组件通过所述电容保护电路使所述氙气闪光管放电，形成闪光。优选地，所述电容保护电路还包括功率值大于预定阈值的大功率电阻与第一绝缘栅双极型晶体管；所述形成第一电压的电源高压端通过所述大功率电阻连接至所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极，所述主电容组件的正极连接至所述第一绝缘栅双极型晶体管的正极，所述主电容组件的负极连接至形成所述第一电压的电源低压端。优选地，所述电容保护电路还包括第一分压支路、电压采集反馈电路和第一光耦； 所述电压采集反馈电路包括第一输入端、第一输出端和第二输出端；所述第一分压支路并联至所述主电容组件，包括串联的第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻与第二电阻所得的分压的高压端连接至所述电压采集反馈电路的第一输入端；所述电压采集反馈电路的第二输出端连接至所述第一光耦的负相输入端；所述微处理器包括外部中断输入端口，连接至所述第一光耦的正相输出端。
优选地，所述第一电阻为电位器。 优选地，所述电压采集反馈电路为N沟道MOS管，所述第一输入端为栅极，所述第一输出端为源极，所述第二输出端为漏极。优选地，所述电压采集反馈电路为三极管电路或电压比较器电路。优选地，所述主电容组件的两端还并联有第二分压支路，所述第二分压支路分得第三电压，作为所述触发电容充电后的电压。优选地，所述第一电压介于550伏至650伏之间，所述第二电压介于385伏至485 伏之间，所述第三电压介于210伏至310伏之间；以及所述预定阈值为50W。本发明还提出一种控制数字闪光灯闪光的方法，包括以下步骤 微处理器接收外部的触发信号；
在微处理器接收外部的触发信号后，根据闪光时间计算氙气闪光管每秒的闪光能量； 判断上述每秒闪光量是否超过氙气闪光管所给定的最大闪光能量； 如果所述每秒闪光量超过氙气闪光管所给定的最大闪光能量，微处理器不再响应外部触发信号，使得氙气闪光管进入保护状态，以防止氙气闪光管烧毁；
如果所述每秒闪光量没有超过氙气闪光管所给定的最大闪光能量，微处理器响应外部触发信号，使氙气闪光管内的氙气电离进行闪光。优选地，当有连续高频干扰信号时，所述微处理器向控制所述闪光灯的主机发送命令进行报错。本发明所提出的数字闪光灯，通过倍压整流电路与电容保护电路，大大的提高了主电容组件的充电电压，进而提高了充电效率、达到快速充电效果，并使得触发闪光时间变得精确可控，能够有效地应用于治安卡口、电子警察、超速抓拍等智能交通场合。并且，本发明的控制结构简单、硬件控制可靠性高、不用AD转换、反应速度快、成本低，同时，具有闪光能量输出均勻，寿命长、抗干扰能力强的特点。
读者在参照附图阅读本发明的具体实施方式
以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中
图1为本发明数字闪光灯的结构框图； 图2为本发明数字闪光灯中另一实施例的结构框图； 图3为本发明数字闪光灯中较佳实施例的电路结构示意图； 图4为本发明数字闪光灯中微处理器的控制流程图。附图标记
充电装置11
触发装置12
氙气闪光管13微处理器14
倍压整流电路111
主电容组件112
电容保护电路113
触发电容121
独立电容C3、C4、C5、C6
大功率电阻Rl
第一绝缘栅双极晶体管Ql
电压采集反馈电路Q3
第一光耦U2
第一电阻R9
第二电阻R8
第三电阻R7 第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5
触发线圈Tl
第二光耦U3
第二绝缘栅双极晶体管Q2
第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片U6 第四电阻第五电阻整流二极管电解电容下降电阻第一上拉电阻第二上拉电阻第三上拉电阻保护电阻第一触发电阻第二触发电阻
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。由于本发明公开了一种数字闪光灯及充电装置，其中所使用的电气组件的相关原理已为本领域普通技术人员所能明了，故以下文中的说明， 不再作完整描述。同时，以下文中所对照的附图，意在表达与本发明特征有关的结构的含义，并未亦不需要依据实际尺寸完整绘制，在先声明。
第一实施例数字闪光灯
本发明首先提出第一实施例，为一种数字闪光灯，请参照图1。数字闪光灯包括充电
R13装置11、触发装置12、内部容置有氙气的氙气闪光管13、和微处理器14，其中，所述微处理器14控制所述充电装置11进行充电并控制所述触发装置12对所述氙气闪光管进行触发； 所述充电装置11连接所述触发装置12对其进行充电以达到预定电压。充电装置11包括倍压整流电路111、主电容组件112和电容保护电路113。触发装置12包括触发电容121。倍压整流电路111将交流电压转换为大于该交流电压、且为直流的第一电压，电容保护电路113接受第一电压以后对主电容组件112进行充电，确保主电容组件112充电饱和的电压为第二电压、以及触发电容121两端的电压为第三电压。本实施例中，利用倍压整流电路111将交流电压转换为直流电压、并升压至第一电压以后再对主电容组件112进行充电，由于第一电压大于主电容组件112充电饱和所具有的第二电压，因此可以大大的提高主电容组件112的充电效率，达到快速充电效果。且控制结构简单、硬件控制可靠性高、不用AD转换、反应速度快、充电速度快、成本降低。本实施例中，交流电压为普通的220伏，第一电压介于550伏至650伏之间，第二电压介于385伏至485伏之间，第三电压介于210伏至310伏之间。其中，第一电压优选为 600伏，第二电压优选为435伏，触发电容121充电后所获取的第三电压优选为260伏。在后面的实例步骤，还会做出更加详细的说明。请参照图3，在一个实施例中，主电容组件112由多个独立电容C3、C4、C5、C6并联而成。由于采用独立电容并联，可以增加整体的电容容量，并减小整体的电容内阻，进一步增快充电速度。进一步的，微处理器14分别与充电装置11和触发装置12相连接。微处理器14 用于在触发时间输出相应的负脉冲，以控制触发电容121放电以击穿氙气闪光管13内的氙气。同时，主电容组件112对氙气闪光管13放电，形成闪光；负脉冲结束时，结束闪光过程。本实施例通过设置微处理器14进行放电控制，使闪光时间精确可调，闪光能量精确可调。微处理器的形式有很多种，比如单片机，本发明在此不做限定。请参照图3，电容保护电路113还包括功率值大于预定阈值的大功率电阻Rl与第一绝缘栅双极晶体管Q1。对于本发明而言，功率值大于50W，即可认为是大功率电阻，其目的是用来保护主电容组件112。第一电压的高压端通过大功率电阻Rl连接至第一绝缘栅双极晶体管Ql的源极，主电容组件112的正极与第一绝缘栅双极晶体管Ql的正极相连，主电容组件112的负极与第一电压的低压端相连。即，电容保护电路113将第一电压先通过大功率电阻Rl保护以后才对主电容组件112进行充电。请参照图3，在本实施例中，电容保护电路113更包括第一分压支路、电压采集反馈电路Q3和第一光耦U2。第一分压支路与主电容组件112并联，包括串联的第一电阻R9、 第二电阻R8和第三电阻R7。电压采集反馈电路Q3包括第一输入端、第一输出端和第二输出端。第一电阻R9和第二电阻R8所得的分压的高压端作为电压采集反馈电路Q3的第一输入端的输入；电压采集反馈电路Q3的第二输出端连接至第一光耦U2的负相输入端；第一光耦U2的正相输出端连接至微处理器14的外部中断输入端口。本实施例通过电压采集反馈电路Q3、第一光耦U2与微处理器14所组成的回路能快速准确的响应主电容组件112 的电量是否充满、避免过充，提高了主电容组件112的安全性。进一步的，本实施例中，第一电阻R9为电位器，其好处为主电容组件112最终的充电电压可以通过电位器阻值的调节而改变。电压采集反馈电路Q3可以为N沟道MOS管，其第一输入端为栅极、第一输出端为源极、第二输出端为漏极。当然，除N沟道MOS管外，电压采集反馈电路Q3还可以是三极管组成的电路或电压比较器组成的电路。下面，结合一个实例，对本发明做出更加详细的说明。请参照图3，数字闪光灯主要包含有充电装置11、触发装置12、内部容置有氙气的氙气闪光管13和微处理器14 (本实施例采用单片机MCU)。充电装置11包括倍压整流电路111、主电容组件112和电容保护电路113。主要包含有
主电容组件112由四个独立电容03工4、05、06并联组成。电容保护电路113包含大功率电阻R1、第一绝缘栅双极晶体管Q1、第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片TO、第一分压支路(第一电阻R9、第二电阻R8与第三电阻R7串联组成)、 电压采集反馈电路Q3 (本实施例为N沟道MOS管)与第一光耦U2。触发装置12主要包含有触发电容121、触发线圈Tl、第二光耦U3、第二绝缘栅双极晶体管Q2、第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片TO与第二分压支路(由第四电阻Rll与第五电阻R12串联组成)。整体的工作流程
220伏交流电压经过倍压整流电路111转变成电压为600伏直流电压的第一电压，通过大功率电阻R1、第一分压支路、第一绝缘栅双极晶体管Q1、第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片TO、电压采集反馈电路Q3和第一光耦U2与微处理器14，保证主电容组件112的电压为 435伏的第二电压。通过触发装置12内的第二分压支路的第四电阻Rll与第五电阻R12保证触发电容121为260伏的第三电压。触发时，微处理器14根据RS485总线配置的触发时间输出相应的负脉冲，控制第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片U6使第二绝缘栅双极晶体管Q2导通，造成触发电容121放电，使触发线圈Tl形成高压，高压击穿氙气闪光管13内的氙气，同时主电容组件112通过导通的第二绝缘栅双极晶体管Q2对氙气闪光管13放电，形成闪光过程， 微处理器14的负脉冲结束时，第二绝缘栅双极晶体管Q2断开主电容组件112与氙气闪光管13，结束闪光过程。具体描述如下 (1)充电装置11
充电装置11包括电连接的倍压整流电路111、主电容组件112和电容保护电路113。倍压整流电路111包含有整流二极管Dl、D2和电解电容Cl、C2，将220伏交流电压转变到600伏直流电压(第一电压)。600伏直流电压的高压端通过大功率电阻Rl连接在第一绝缘栅双极晶体管Ql的源极，600伏直流电压的低压端连接在主电容组件112的负极，第一绝缘栅双极晶体管Ql的漏极连接在主电容组件112的正极。其中，主电容组件112由多个独立电容C3、C4、C5、C6 并联而成。 电容保护电路更包括第一分压支路、电压采集反馈电路Q3和第一光耦U2。第一电阻R9 (电位器)、第二电阻R8与第三电阻R7串联组成第一分压支路。第一分压支路并联在主电容组件112的两极，第一电阻R9与第二电阻R8生成的分压的高压端作为电压采集反馈电路Q3的第一输入端(N沟道MOS管的栅极)输入，电压采集反馈电路Q3的第一输出端(N沟道MOS管的源极)通过下降电阻R5接地，电压采集反馈电路Q3的第二输出端(N沟道MOS管的漏极)接到第一光耦U2的负相输入端，第一光耦U2的正相输入端接15伏，第一光耦U2的正相输出端通过第一上拉电阻R4接到3. 3伏，并接入微处理器14的外部中断输入，第一光耦U2的负相输出端接地。微处理器14控制充电的I/O管脚连接至第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5的负相输入端，第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5的正相输入端通过第二上拉电阻R3上拉到3. 3伏，第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5的输出管脚通过保护电阻R2连接第一绝缘栅双极晶体管Ql的栅极。数字闪光灯上电后，220伏交流电压经过倍压整流电路111而在串联的两个电解电容Cl、C2的两端形成600伏的直流高压，以提供给主电容组件112进行充电。当主电容组件112电压低于435伏时，并联在主电容组件112两端的第一分压支路中的第二电阻R8 和第三电阻R9的分压小于电压采集反馈电路Q3的第一输入端(N沟道MOS管的栅极)的导通电压2. 7伏，电压采集反馈电路Q3的第一输出端与第二输出端(N沟道MOS管的源极和漏极)断开，第一光耦U2的输入端没有电压差，则第一光耦U2的输出端断开。此时微处理器14检测第一光耦U2的输出信号为高，并拉低第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5的控制脚使第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5的输出为高，第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5 驱动第一绝缘栅双极晶体管Ql导通，600伏直流电压通过大功率电阻Rl和导通的第一绝缘栅双极晶体管Ql给主电容组件112充电。当主电容组件112达到435伏时，并联在主电容组件112两端的第一分压支路中第二电阻R8和第三电阻R9的分压大于电压采集反馈电路 Q3的第一输入端(N沟道MOS管的栅极)的导通电压2. 7伏，于是电压采集反馈电路Q3的第一输出端与第二输出端(N沟道MOS管的源极和漏极)导通，第一光耦U2的输入端有电压差，则第一光耦U2的输出端导通。此时微处理器14检测第一光耦U2的输出信号为低， 并拉高第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5的控制脚使第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5 的输出为低，第一绝缘栅双极晶体管驱动芯片U5驱动绝缘栅双极晶体管关断，600伏直流电压停止给主电容组件112充电。如此反复。其中，当调节第一电阻R9的阻值时，可以改变第一分压支路当中第一电阻R9(电位器)、第二电阻R8与第三电阻R7的分压比例，因此主电容组件112最后分配到的电压也会发生改变，因此主电容组件112最终的充电电压可以根据第一电阻R9阻值的调节而改变。第一光耦U2的输出端连接在微处理器14的外部中断输入，可以迅速的引起微处理器 14的中断响应，从而关断充电控制的第一绝缘栅双极晶体管Q1，保护主电容组件112不会过充。当充电的时候，高于主电容组件112最终电压(第二电压)的600伏直流电压(第一电压)为主电容组件112充电，同时主电容组件112内的独立电容并联设计增加了主电容组件112的容值又通过电容并联降低了主电容组件112的内阻，藉此大大提高主电容组件112的充电速度，同时通过电压采集反馈电路Q3和第一光耦U2、微处理器14组成的回路能快速准确的响应主电容组件112是否充满、避免过充，亦提高了主电容组件112的安全性。本发明充电装置11的优点在于控制结构简单、成本低，且硬件控制可靠性高、不用AD转换、反应速度快、充电速度快。(2)触发装置12Rll和R12组成的第二分压支路并联在主电容组件112的两端，将435伏分压成260 伏。触发电容121的一端连接260伏的高压端，另一端连接触发线圈Tl的原边，触发线圈 Tl原边的另一端和副边的一端接地，触发线圈Tl副边的另一端连接到氙气闪光管13的触发极，氙气闪光管13的正极连接在主电容组件112的负极，氙气闪光管13的负极连接整流二极管D3的正极，整流二极管D3的负极与第二绝缘栅双极晶体管Q2的源极和触发电容 121的正极连接在一起，第二绝缘栅双极晶体管Q2的漏极接地。外部触发信号连接第二光耦U3的输入端，第二光耦U3的正相输出端通过第三上拉电阻RlO上拉到3. 3伏并连接至微处理器14的外部中断输入，第二光耦U3的负相输出端接地。微处理器14的触发IO管脚连接至第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片U6的负相输入端，第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片U6的正相输入端通过第一触发电阻R6连接到3. 3伏。第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片U6的输出端通过第二触发电阻R13连接至第二绝缘栅双极晶体管Q2的栅极。外部5 12伏的电压上升沿经过第二光耦U3被微处理器14检测，微处理器14 的触发IO脚输出一定脉宽的低电压，通过第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片TO驱动第二绝缘栅双极晶体管Q2导通。触发电容121放电，并在触发线圈Tl的原边产生一定的电压变化，因此在触发线圈Tl的副边感应产生高压并电离氙气闪光管13内的氙气，同时主电容组件112通过导通的第二绝缘栅双极晶体管Q2和整流二极管D3对氙气闪光管13放电，氙气闪光管13将电能转化为光能开始触发闪光。当微处理器14的触发管脚的负脉冲结束的时候，第二绝缘栅双极晶体管驱动芯片U6驱动第二绝缘栅双极晶体管Q2断开，即断开主电容组件112对氙气闪光管13的放电，停止触发闪光。其中闪光时间通过RS485串口配置给微处理器14，并保存在微处理器14内部的 EEPROM 中。本发明触发装置的优点由于结构简单，集成度高，因此具有很强的抗干扰能力， 且由于采用了微处理器14作为触发控制器，因此可以精确控制闪光时间。上述充电装置11和触发装置12的控制原理参照图4所示，包括如下步骤 接收步骤S51，微处理器14接收外部触发信号；
计算步骤S52，在微处理器接收外部的触发信号后，根据闪光时间计算氙气闪光管13 每秒的闪光能量；
判断步骤S53，判断上述每秒闪光量是否超过氙气闪光管13所给定的最大闪光能量； 保护步骤S54，如果所述秒闪光量超过氙气闪光管13所给定的最大闪光能量，微处理器14不再相应外部触发信号，使得氙气闪光管13进入保护状态，以防止氙气闪光管13烧毁；
闪光步骤S55，如果所述秒闪光量没有超过氙气闪光管13所给定的最大闪光能量，微处理器14相应外部触发信号，使氙气闪光管13内的氙气电离进行闪光。另外，当有连续高频干扰信号时，本发明的数字闪光灯通过串口发送命令告知控制闪光灯的主机，具有智能报错功能。氙气闪光管13的最大闪光能量为lOOWs，当实际闪光能量超过氙气闪光管13允许的最大闪光能量很多的时候，会降低氙气闪光管14的使用寿命。本发明由于采用单片机类型的微处理器作为触发部分的控制器，因此可以通过微处理器的程序灵活的控制氙气闪光管14实际的闪光能量，防止过高的触发输入或者外部干扰影响氙气闪光管14的使用寿命。
下面，根据闪光时间的不同，对上述控制原理做进一步的说明。当闪光时间大于1000毫秒时，首次闪光之后，计时器0开始计时，并设置计数变量 (Flash_Counter)为0，闪光间隔(再次闪光与前次闪光的时间差)如果小于300微秒，则计数变量加1，否则计数变量归零，依次计数，当计数变量为2的时候，认为闪光能量过大，微处理器14在5秒钟之内不再响应外部触发信号，但是会继续计数外部触发信号，如果外部触发信号连续6次触发间隔都在300微秒以内，则微处理器14认定外部有高频干扰信号， 使微处理器14进入保护状态，通过串口向主机报警，并停止响应外部触发信号30分钟。同理，当闪光时间在700毫秒 999毫秒时，闪光间隔在250微秒以内，连续闪光4 次后微处理器14不再响应外部触发，若连续8次闪光间隔都在250微秒以内，则微处理器 14进入保护状态，通过串口向主机报警，并停止响应外部触发信号30分钟。当闪光时间在500毫秒 699毫秒时，闪光间隔在200微秒以内，连续闪光5次后微处理器14不再响应外部触发，若连续10次闪光间隔都在200微秒以内，则微处理器14 进入保护状态，通过串口向主机报警，并停止响应外部触发信号30分钟。当闪光时间在300毫秒 499毫秒时，闪光间隔在160微秒以内，连续闪光6次后微处理器14不再响应外部触发，若连续12次闪光间隔都在160微秒以内，则微处理器14 进入保护状态，通过串口向主机报警，并停止响应外部触发信号30分钟。当闪光时间在100毫秒 299毫秒时，闪光间隔在140微秒以内，连续闪光7次后微处理器14不再响应外部触发，若连续14次闪光间隔都在140微秒以内，则微处理器14 进入保护状态，通过串口向主机报警，并停止响应外部触发信号30分钟。当闪光时间在小于100毫秒时，闪光间隔在120微秒以内，连续闪光8次后微处理器14不再响应外部触发，若连续16次闪光间隔都在120微秒以内，则微处理器14进入保护状态，通过串口向主机报警，并停止响应外部触发信号30分钟。本发明所提出的数字闪光灯的技术参数闪光时间精确可调(20 1260毫秒)， 闪光能量精确可调(0 120Ws)，最大闪光频率100Hz，瞬间回电(1微秒 100微秒)，通过485总线配置闪光时间和闪光能量并掉电保存，5 12伏上升沿触发，工作温度-40
70°C，使用寿命1000万次，防水等级IP65。综上，本发明中
第一、由于提高了充电电压、降低了主电容组件121的内阻，电压采集反馈电路采用N 沟道MOS管组成的硬件电路，检测速度快，稳定性高，因此本发明的数字闪光灯的回电速度快，可达到1微秒 100微秒。第二、由于采用了微处理器14控制闪光过程，本发明的数字闪光灯具有闪光时间和闪光能量精确可控、抗干扰能力强和可靠性能高的优点。第三、由于在微处理器14的软件程序中计算每秒钟的能量，因此本闪光具有过曝保护、使用寿命长的优点；并且，还能检测干扰信号，如果遇到频繁的干扰，会自我保护。
以上对本发明所提供的数字闪光灯进行详细介绍，本文中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式
及应用范围上均可能会有等同的改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明权利范围的限制。
1.一种数字闪光灯，包括充电装置、触发装置、氙气闪光管与微处理器，其特征在于，所述微处理器控制所述充电装置对所述氙气闪光管进行充电，控制所述触发装置对所述氙气闪光管进行触发；所述充电装置连接所述触发装置对其进行充电以达到预定电压；所述充电装置包括倍压整流电路、主电容组件和电容保护电路，所述倍压整流电路将交流电压转换为直流的第一电压，通过所述电容保护电路对所述主电容组件进行充电，使所述主电容组件电压为第二电压；所述触发装置包括触发电容，触发电容两端的电压为第三电压；所述第一电压大于第二电压、第二电压大于第三电压。
2.根据权利要求1所述的数字闪光灯，其特征在于，所述主电容组件由多个独立电容并联而成。
3.根据权利要求1所述的数字闪光灯，其特征在于，所述微处理器在触发时间输出相应的负脉冲，控制所述触发电容放电以击穿所述氙气闪光管内的氙气，同时，所述主电容组件通过所述电容保护电路使所述氙气闪光管放电，形成闪光。
4.根据权利要求1所述的数字闪光灯，其特征在于，所述电容保护电路还包括功率值大于预定阈值的大功率电阻与第一绝缘栅双极型晶体管；所述形成第一电压的电源高压端通过所述大功率电阻连接至所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极，所述主电容组件的正极连接至所述第一绝缘栅双极型晶体管的正极，所述主电容组件的负极连接至形成所述第一电压的电源低压端。
5.根据权利要求4所述的数字闪光灯，其特征在于，所述电容保护电路还包括第一分压支路、电压采集反馈电路和第一光耦；所述电压采集反馈电路包括第一输入端、第一输出端和第二输出端；所述第一分压支路并联至所述主电容组件，包括串联的第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻与第二电阻所得的分压的高压端连接至所述电压采集反馈电路的第一输入端；所述电压采集反馈电路的第二输出端连接至所述第一光耦的负相输入端；所述微处理器包括外部中断输入端口，连接至所述第一光耦的正相输出端。
6.根据权利要求5所述的数字闪光灯，其特征在于，所述第一电阻为电位器。
7.根据权利要求5所述的数字闪光灯，其特征在于，所述电压采集反馈电路为N沟道 MOS管，所述第一输入端为栅极，所述第一输出端为源极，所述第二输出端为漏极。
8.根据权利要求7所述的数字闪光灯，其特征在于，所述电压采集反馈电路为三极管电路或电压比较器电路。
9.根据权利要求1所述的数字闪光灯，其特征在于，所述主电容组件的两端还并联有第二分压支路，所述第二分压支路分得第三电压，作为所述触发电容充电后的电压。
10.根据权利要求4所述的数字闪光灯，其特征在于，所述第一电压介于550伏至650伏之间，所述第二电压介于385伏至485伏之间，所述第三电压介于210伏至310伏之间；以及所述预定阈值为50W。
11.一种控制数字闪光灯闪光的方法，其特征在于，包括以下步骤微处理器接收外部的触发信号；在微处理器接收外部的触发信号后，根据闪光时间计算氙气闪光管每秒的闪光能量；判断上述每秒闪光量是否超过氙气闪光管所给定的最大闪光能量； 如果所述每秒闪光量超过氙气闪光管所给定的最大闪光能量，微处理器不再响应外部触发信号，使得氙气闪光管进入保护状态，以防止氙气闪光管烧毁；如果所述每秒闪光量没有超过氙气闪光管所给定的最大闪光能量，微处理器响应外部触发信号，使氙气闪光管内的氙气电离进行闪光。
12.根据权利要求11所述的控制数字闪光灯闪光的方法，其特征在于，当有连续高频干扰信号时，所述微处理器向控制所述闪光灯的主机发送命令进行报错。
本发明属于智能监控领域，公开一种数字闪光灯，包括充电装置、触发装置、氙气闪光管与微处理器，其中，所述微处理器控制所述充电装置对所述氙气闪光管进行充电，控制所述触发装置对所述氙气闪光管进行触发；所述充电装置连接所述触发装置对其进行充电以达到预定电压；所述充电装置包括倍压整流电路、主电容组件和电容保护电路，所述倍压整流电路将交流电压转换为直流的第一电压，通过所述电容保护电路对所述主电容组件进行充电，使所述主电容组件电压为第二电压；所述触发装置包括触发电容，触发电容两端的电压为第三电压；所述第一电压大于第二电压、第二电压大于第三电压。本发明大大的提高了充电电压，进而提高了充电效率，达到快速充电效果。
文档编号H05B41/36GKSQ
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发明者丁雷, 晏峰, 秦绪彬 申请人:汉王科技股份有限公司